摘要：，自贡实现了第一次产业结构调整，制盐业开始向化工领域延伸。兴建了鸿鹤化工厂、邓关盐厂和自贡炭黑厂，扩建了自贡张家坝制盐化工厂等13户企业。自贡炭黑厂槽法炭黑工程竣工投产。与此同时，自贡市化工生产也取得了骄人成就，如张家坝制盐化工厂的氯化钡实现出口，产品质量超过英国一级品，达到世界一流水平；自贡化工。...，自贡实现了第一次产业结构调整，制盐业开始向化工领域延伸。兴建了鸿鹤化工厂、邓关盐厂和自贡炭黑厂，扩建了自贡张家坝制盐化工厂等13户企业。自贡炭黑厂槽法炭黑工程竣工投产。与此同时，自贡市化工生产也取得了骄人成就，如张家坝制盐化工厂的氯化钡实现出口，产品质量超过英国一级品，达到世界一流水平；自贡化工。
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Core Prime，它是更新的版本，更新，规格更高。 適用於中国的双卡版本，但没有闪光灯，还是有相机。 中国移动的TD-LTE模式 单SIM卡插槽 双SIM卡插槽 2014年11月发布; GSM，LTE（Cat4），HSPA，单卡（Duos Dual SIM）。四核1.2 GHz Cortex-A53。
C o r e P r i m e ， ta shi geng xin de ban ben ， geng xin ， gui ge geng gao 。 適 yong yu zhong guo de shuang ka ban ben ， dan mei you shan guang deng ， hai shi you xiang ji 。 zhong guo yi dong de T D - L T E mo shi dan S I M ka cha cao shuang S I M ka cha cao 2 0 1 4 nian 1 1 yue fa bu ; G S M ， L T E （ C a t 4 ） ， H S P A ， dan ka （ D u o s D u a l S I M ） 。 si he 1 . 2 G H z C o r t e x - A 5 3 。
在AZ-5按钮被按下后，被抽出的全部控制棒开始重新插回反应炉中。控制棒的移动速度为每秒0.4公尺，完全插入7公尺高的核心需要18至20秒。RBMK反应炉控制棒的设计也是一个大问题。控制棒的尖端连结了一块促进连锁反应的石墨。原本的设计用意是让控制棒抽出时，尖端的石墨能促进並均匀连锁反应。但这也导致一开始插。
52-86），10部编配予龙运巴士（即701-709、401），全数配亚歷山大丹尼士Enviro 500车身及使用Gorba电子显示屏，並在车尾冷气槽位装设了倒车闭路电视；AVBE52-66配用D9A-300引擎及ZF 6HP592C波箱，AVBE67-86则配用D9A-340引擎及Voith DIWA864。
最高支持64TB虚拟内存 超标量架构 工作电压：3.3V（除了第一代“P5”） 用于桌面计算机 8 KB指令高速缓存 8 KB数据缓存 P5——0.8 μm制造工艺 1993年3月22日发布 310万个晶体管 只有这一代奔腾处理器运行在5 V电压 插槽：Socket 4（273针PGA封装） 封装大小为4.6656。
3般採用屏下镜头设计。 Galaxy Z Flip 3备有8 GB随机存取存储器，並备有128 GB或256 GB两种內部存储选项。该产品不具备microSD插槽，与Galaxy Z Flip相似。 Galaxy Z Flip 3备有3300 mAh鋰离子聚合物电池（不可拆卸），较同年发布的Galaxy S21之4000。
地拉低分解閂以分解出套筒。套筒的前部和后部都刻有防滑槽。套筒后部还有无弹后定桿，左右两手均可操作。套筒顶部、照门的前方有两个销。前一个是销是抽壳鉤轴，后一个销是击针保险，扣动扳机时保险抬起，击针才能撞击枪弹底火。復进簧导桿是由两端夹紧，其中一端被插进一块大约25。
GB及256 GB內部存储）或16 GB（512 GB內部存储）隨机存取记忆体选项。所有四个型号都不再具有 S20 系列中包含的 microSD 卡插槽。 S21、S21 FE、 S21+、及S21 Ultra分別具备4000 mAh、4500 mAh、4800 mAh、及5000。
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