摘要：金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法“公开号CN117594732A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明提供发光二极管及其制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括器件本体和用于封装器件还有呢？
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金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法“公开号CN117594732A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明提供发光二极管及其制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括器件本体和用于封装器件还有呢？
金融界2024年2月21日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“一种量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN114267799B,申请日期为2020年9月。专利摘要显示，本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、..
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jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 2 1 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， T C L ke ji ji tuan gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ yi zhong liang zi dian fa guang er ji guan ji qi zhi bei fang fa “ shou quan gong gao hao C N 1 1 4 2 6 7 7 9 9 B , shen qing ri qi wei 2 0 2 0 nian 9 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming gong kai yi zhong liang zi dian fa guang er ji guan ji qi zhi bei fang fa ， suo shu liang zi dian fa guang er ji guan bao kuo ： yang ji 、 . .
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金融界2024年2月21日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“复合材料、量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN114686209B,申请日期为2020年12月。专利摘要显示，本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法。复合材料包括还有呢？
证券之星消息，根据企查查数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权，专利名为“复合材料、量子点发光二极管及其制备方法”，专利申请号为CN202011642637.2,授权日为2024年2月20日。专利摘要：本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法。复合材料包括后面会介绍。
经过“溶剂筛”处理后的钙钛矿发光二极管呈现明亮的绿色电致发光效果。受访单位供图洪恒飞高晓静科技日报记者江耘钙钛矿材料具有光电性能优异、制备成本低的优点。与目前常见的有机发光二极管(OLED)相比，钙钛矿发光二极管可以将色彩纯度提升至少1倍。近年来，钙钛矿发后面会介绍。
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包括：获取双向变流器和二极管整流机组的输出功率，以及电压给定值和负荷电压实际值；通过双向变流器和二极管整流机组的输出功率计算电压指令值；对电压给定值，负荷电压实际值和电压指令值依次进行电压环控制和电流环控制以便生成PWM波；调整PWM波的占空比，以便双向变流器的还有呢？
金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法“公开号CN117558620A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明公开一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法，属于宽禁带半导体材说完了。
降低光伏组件的二极管被击穿的风险。汇流条安装方法包括：将汇流条折叠，以形成折叠结构，使得汇流条的部分面积形成焊接区域；将汇流条的折叠结构穿过接线盒壳体；将折叠结构展开；将至少部分焊接区域与接线盒的焊盘进行焊接。汇流条包括具有折叠状态和展开状态的折叠结构。折叠还有呢？
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证券之星消息，根据企查查数据显示乾照光电(300102)新获得一项发明专利授权，专利名为“发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法”，专利申请号为CN201810885637.1,授权日为2024年2月13日。专利摘要：本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法，其中所后面会介绍。
金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种四颗二极管集成芯片的制造工艺“授权公告号CN110060934B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，一种四颗二极管集成芯片的制造工艺；步骤包括：在硅片衬底上、下表面均形成第一二神经网络。
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