摘要：IT之家3 月15 日消息，TheNewCamera 表示，佳能即将推出一款的复古风格的相机新品。这款相机的早期原型机在设计上参考了G-III QL17,其中一款原型机搭载了2400 万像素的全画幅传感器，并配备了可反转屏幕。除了全画幅版本，佳能还在研发APSC 画幅的机型。至于发布时间，TheN等会说。
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IT之家3 月15 日消息，TheNewCamera 表示，佳能即将推出一款的复古风格的相机新品。这款相机的早期原型机在设计上参考了G-III QL17,其中一款原型机搭载了2400 万像素的全画幅传感器，并配备了可反转屏幕。除了全画幅版本，佳能还在研发APSC 画幅的机型。至于发布时间，TheN等会说。
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IT之家3 月15 日消息，确善能今日推出了福伦达NOKTON 75mm F1.5 Aspherical 佳能RF 卡口镜头，售价13.5 万日元(IT之家备注：当前约1701 元人民币),将于4 月上市销售。据介绍，该款全画幅无反镜头采用6 组7 片镜头结构设计，其中包含3 片异常色散镜片、1 片非球面镜片；同时配备说完了。
I T zhi jia 3 yue 1 5 ri xiao xi ， que shan neng jin ri tui chu le fu lun da N O K T O N 7 5 m m F 1 . 5 A s p h e r i c a l jia neng R F ka kou jing tou ， shou jia 1 3 . 5 wan ri yuan ( I T zhi jia bei zhu ： dang qian yue 1 7 0 1 yuan ren min bi ) , jiang yu 4 yue shang shi xiao shou 。 ju jie shao ， gai kuan quan hua fu wu fan jing tou cai yong 6 zu 7 pian jing tou jie gou she ji ， qi zhong bao han 3 pian yi chang se san jing pian 、 1 pian fei qiu mian jing pian ； tong shi pei bei shuo wan le 。
IT之家3 月12 日消息，根据佳能2024 年企业战略，这家日本相机巨头在未来两年有几个目标，其中最重要的是目标是“在无反相机市场取得绝对领先地位”。这一目标是在上个月横滨举办的CP+ 展会上的一次企业战略发布会上提出的。佳能影像事业部副总负责人、高级管理执行办公室神经网络。
IT之家3 月12 日消息，据CannonRumors 消息，佳能新品RF 35mm F1.4 L USM 镜头将于4 月发布，预计将与佳能EOS R5 MarkⅡ 同期发布。消息人士还提到，这款镜头将具有“视频功能”，应该是指针对视频录制进行了优化。当然，由于它是一款定焦镜头，所以并不适合用于2024 年扩展还有呢？
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最近的相机市场可谓是相当红火，各种产品层出不穷。对于消费者来说，入手一台相机，最先以及最后考虑的一定的是“性价比”。在近期市场火热溢价的情况下，佳能R5的表现尤为引人注目。佳能作为相机行业的重量级玩家，单反时代经典产品层出不穷，不论是当年的5D2还是5D4都收到无说完了。
IT之家3 月7 日消息，CanonRumors 表示，佳能已向特定细分市场发出了一些保密协议，EOS R5 Mark II 预计将于4 月底前发布，并在发布后的几个月内正式上市。IT之家汇总目前规格爆料：4500 万像素BSI CMOS 图像传感器(不过CanonRumors 认为EOS R5 Mark II 会采用堆栈式传感器)3还有呢？
佳能已经停电一天，而富士康、三星可能随时有断电风险 。 越方也是一个传统的农业大国，有着丰富的矿产资源，再就是本国的旅游业资源比较丰富。 十几年的时间以来，越方的发展势头似乎有点迅猛，已经有越来越多的国际大企业前往越方去投资建厂了。 首先，越方因为之前的 好了吧！
作者：值友1686798798我购买了一台佳能R50相机，经过一段时间的使用和体验，我对这款相机有了更深入的了解。今天，我想和大家分享一下我的使用感受，希望对新手朋友们有所帮助。佳能相机的操作一直以来都非常简便，而R50也不例外。它的触摸屏设计非常方便，新手们完全不用担心神经网络。
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作者：庄先生说现在不是入手佳能R5的最优时间，R5 II发布后才是。可以确定今年R5 II必出，最快在年中前。R1会先发布，也不排除同时发布(概率较小)。为何这么说，大家近期有没有时不时能刷到关于R5的文章推流，微博有几个大佬也突然安利得佳能R5。要么是佳能在投放，要么就是代理商还有呢？
钛媒体App 3月6日消息，美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术，从而进一步降低生产DRAM存储芯片的单层成本。
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