长鑫存储产能,长鑫存储产能规划

摘要：金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体存储器“公开号CN117580363A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开提供一种半导体器件和半导体存储器，包括衬底和反熔丝结构；反熔丝结构包括有源区、第一栅极后面会介绍。 ...

金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体存储器“公开号CN117580363A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开提供一种半导体器件和半导体存储器，包括衬底和反熔丝结构；反熔丝结构包括有源区、第一栅极后面会介绍。

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金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“封装结构及其制备方法“公开号CN117577588A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本申请涉及一种封装结构及其制备方法，封装结构，包括：封装基板，内部设有凹槽，且包括第一基板焊盘；叠层芯说完了。

jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 2 0 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， chang xin cun chu ji shu you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ feng zhuang jie gou ji qi zhi bei fang fa “ gong kai hao C N 1 1 7 5 7 7 5 8 8 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 8 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben shen qing she ji yi zhong feng zhuang jie gou ji qi zhi bei fang fa ， feng zhuang jie gou ， bao kuo ： feng zhuang ji ban ， nei bu she you ao cao ， qie bao kuo di yi ji ban han pan ； die ceng xin shuo wan le 。

金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“三维堆叠封装结构及其形成方法“公开号CN117577634A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开涉及一种三维堆叠封装结构及其形成方法。三维堆叠封装结构包括：封装基板，包括基板本体等我继续说。

金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法“公开号CN117580357A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和位于所述第神经网络。

金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“公开号CN117580356A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和是什么。

金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“公开号CN117580361A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区等我继续说。

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金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法“公开号CN117580358A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述结构包括：衬底；位于所述衬底上的半导还有呢？

金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体组件及其操作方法、半导体结构“公开号CN117558742A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体组件，包括：衬底；位于衬底上方的有源柱阵列结构，有源好了吧！

金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“地址信号传输电路、地址信号传输方法以及存储系统“公开号CN117558318A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种地址信号传输电路、地址信号传输方法以及存储系统等我继续说。

金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“控制电路和半导体存储器“公开号CN117559985A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开提供一种控制电路和半导体存储器，包括：控制模块和第一片上终结模块，控制模块，接收命令信号和神经网络。