摘要：
熔化后再结晶，从而逐渐得到大块的晶体，高分子材料通常不能承受过高温度，所以无法使用这种方法） 结晶时，生成晶体的溶液须先进入成核状态形成晶核，然后进入稳定态使晶体成长，才能获得足够大小的单晶。而合适的晶体生长条件往往极难预测，所以在获得初步的晶体生长条件后，需要对晶体。...
熔化后再结晶，从而逐渐得到大块的晶体，高分子材料通常不能承受过高温度，所以无法使用这种方法） 结晶时，生成晶体的溶液须先进入成核状态形成晶核，然后进入稳定态使晶体成长，才能获得足够大小的单晶。而合适的晶体生长条件往往极难预测，所以在获得初步的晶体生长条件后，需要对晶体。
˙﹏˙
³He和⁴He的熔化曲线在有限压强下会延伸趋近绝对零度。在熔化曲线上各点表述的条件下，系统会处于固液相平衡。而热力学第三定律要求在温度为绝对零度时（如果能达到），无论物质处于何种物态，系统的熵都为定值。由此可以推出在绝对零度时，系统熔化的潜热是零。另外，在这一结论基础上，透过克劳修斯－克拉佩龙方程可以得到：熔化曲线在绝对零度点的切线斜率为零。。
³ H e he ⁴ H e de rong hua qu xian zai you xian ya qiang xia hui yan shen qu jin jue dui ling du 。 zai rong hua qu xian shang ge dian biao shu de tiao jian xia ， xi tong hui chu yu gu ye xiang ping heng 。 er re li xue di san ding lv yao qiu zai wen du wei jue dui ling du shi （ ru guo neng da dao ） ， wu lun wu zhi chu yu he zhong wu tai ， xi tong de shang dou wei ding zhi 。 you ci ke yi tui chu zai jue dui ling du shi ， xi tong rong hua de qian re shi ling 。 ling wai ， zai zhe yi jie lun ji chu shang ， tou guo ke lao xiu si － ke la pei long fang cheng ke yi de dao ： rong hua qu xian zai jue dui ling du dian de qie xian xie lv wei ling 。 。
╯﹏╰
液晶，即液態晶体（Liquid Crystal，LC），是相態的一种，因为具有特殊的理化与光电特性，20世纪中叶开始被广泛应用在轻薄型的显示技术上。 人们熟悉的物质状態（又称相）为气、液、固，较为生疏的是电浆和液晶。液晶相由具有特殊形状分子组合时会产生，它们可以流动，又拥有结晶的光学性质。液晶的定义。
液晶化点，通常称为熔点，是某些具液晶態之晶体熔化时的温度，但其溶化並非呈液態，而是液晶態，即將其物態由固態转变为液晶態时的温度。 该过程中固態与液晶態共存，直到全部固態已经转换为液晶態时，呈现光彩的混浊物状態，若继续加热达到清晰点才会转变为液態。 液晶化点会因为共晶体。
氟磺酸钾是一种无机化合物，化学式为KSO3F，可由氟磺酸和氟化钾反应得到。它是白色粉末，于350 °C熔化并分解。它是正交晶系的晶体，属Pnma空间群，晶胞参数a=8.62 Å, b=5.84 Å, c=7.35 Å, Z=4，晶体结构类似于硫酸钡。 H. J. Emeléus, A. G. Sharpe: Advances。
8K以下有相当轻微的负熔化热，这表示在特定的压力下，需要移走热量才能使氦熔化。 在有关熔化的准则中，最常使用的是林德曼（Lindemann）和波恩（Born）的准则。 林德曼准则认为熔化的原因是因为振动的不稳定性，当晶体中原子的热振动振幅高於原子之间的距离时，晶体就会熔化，也就是1/2。
2 HI}}} 在稍高的温度下，它会熔化并与细管中的二氧化硅反应，产生CfOI。 二碘化锎有两种晶体结构，一种是在室温下稳定的CdCl2结构晶体，晶格参数 a = 743.4 ± 1.1 pm和α = 35.83 ± 0.07°；另一种则是亚稳定的CdI2结构晶体，晶格参数a = 455.7 ± 0。
所以，用化学式表示氯化钠的组成应为NaCl。这种方法叫“均摊法”，适用于计算离子晶体各种离子以及各种其他存在公用同一部分的情况的计算。 一般地，离子晶体的熔点、沸点都比较高（具体来说，分子晶体
火成岩（igneous rock）又称岩浆岩（magmatic rock），是指岩浆或熔岩冷却和凝固后（地壳里喷出的岩浆，或者被熔化的现存岩石）所形成的一种岩石。火成岩是三种主要岩石类型之一，其他两种类型分别是沉积岩和变质岩。现在已经发现700多种岩浆岩，大部分是在地壳里面的岩石。常见的岩浆岩有花岗岩、安山岩及玄武岩等。。
熔化过程用来纯化半导体工业中的硅晶体：一个单晶体垂直悬挂在硅棒的顶端上，在两者接触处加热，棒的顶端熔化，并在单晶体上重结晶，然后将加热处慢慢地沿棒下移。 纯净度主要用来反映晶体中杂质含量的多寡；杂质越少，工业产品的净度值越高。 在晶体材料中，依杂质原子的有无、杂质原子掺入晶体的形式，晶体。
熔化热，亦称熔解热，是单位质量物质由固态转化为液态时，物体需要吸收的热量。物体熔化时的温度称为熔点。 熔化热是一种潜热，在熔化的过程中，物质不断吸收热量而温度不变，因此不能通过温度的变化直接探测到这一热量。每种物质具有不同的熔化热。晶体在一定压强下具有固定的熔点，也具有固定的熔化热；非晶体。
∪﹏∪
柴可拉斯基法（英语：Czochralski process），简称柴氏法，又称直拉法或提拉法，是一种用来获取半导体（如硅、锗和砷化镓等）、金属（如钯、铂、银、金等）、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基，他在1916年研究金属的结晶速率时，发明了这种方法。后来，演变为钢铁工厂的標准制程之一。。
熔化，而凝固点在31 °C至40 °C之间。 许多液体在凝固时会结晶，形成晶体的固体。结晶的过程是一阶的热力学相变化，在液態固態共存的期间，系统的平衡温度不变，等於凝固点。结晶主要包括二个现象：成核和晶体生长。成核是指分子开始聚集形成晶核，在奈米尺度以已定义的周期形式排列，其排列方式决定了晶体。
P.）是在大气压下晶体將其物態由固態转变为液態的过程中固液共存状态的温度；各种晶体的熔点不同，对同一种晶体，熔点又与所受压强有关，压强越大，熔点越高。物质的熔点取决於压力，通常在1个大气压或100 kPa等標准压力下指定。不过，与沸点不同，熔点受压强的影响很小，因爲由固態转变（熔化）为液態的过程中，物质的体积几乎不变化。。
大多数碱金属卤化物为面心立方晶体。其中，金属和卤素有着八面体配位几何结构，其中每个离子的配位数为6。氯化铯、溴化铯和碘化铯为体心立方晶体，对于较大的金属阳离子（与卤素阴离子），其配位数为8。 碱金属卤化物为白色粉末或无色晶体，在高温下熔化得到无色的液体。它们的高熔点反映了它们的高晶。
melting，或译带域熔化）——又称区精炼（zone refining）或浮动区、浮区法、浮带制程、FZ法（floating zone process）——是一类纯化晶体（如金属和半导体）的方法。晶体上一个狭窄的区域熔融，此熔化区是沿晶体移动（在实践中，晶体被拉动穿过加热器）。熔化区將不纯固体在固体前边缘熔化。
此法可以成长多种晶体如釔铝柘榴石、硅、硅锗、鈮酸鋰、蓝宝石、氧化釔、氧化鈧、氟化鋰、氟化钙、氟化钡等等。 微下拉法已经发展出一套標准晶体成长程序，步骤大致如下： 在坩堝中加入起始餵料（通常是粉末混合料） 加热坩堝直到起始餵料完全熔化 上移晶种直到其接触坩堝喷嘴或半月滴尾 等待晶种上方略为熔化形成半月滴尾。
芒硝（Mirabilite），矿物名，是十水合硫酸钠的俗称，化学式为Na2SO4‧10H2O（硫酸钠与水分子结合形成的结晶），单斜晶系，晶体短柱状，集合体呈致密块状或皮壳状等，无色透明，有时带浅黄或绿色。玻璃光泽；硬度1.5-2；比重1.4-1.5；解理平行{100}完全；其他方向具贝壳状断；口味较苦。失水后称无水芒硝。。
准晶体，亦称为“准晶”或“拟晶”，是一种介于晶体和非晶体之间的固体。准晶体具有与晶体相似的长程有序的原子排列；但是准晶体不具备晶体的平移对称性。根据晶体局限定理（crystallographic restriction theorem），普通晶体只能具有二次、三次、四次或六次旋转对称性，但是准晶的布。
ˇ０ˇ
碘化铟是一种无机化合物，化学式为InI3，它是浅黄色晶体，熔化后变为暗棕色。它可由铟和碘加热反应制得： 2 In + 3 I2 → 2 InI3 碘化铟在固态以二聚体In2I6的形式存在，它属于单斜晶系P21/c空间群。其晶体常以孪晶的形式存在。 它可以和二甲基亚砜形成加合物，这种物质具有[InI。
发表评论