摘要：
计算机存储器类型（维基数据所列：Q125005976） 易失性存储器（内存） RAM DRAM（例如DDR SDRAM） SRAM 发展中 可控硅随机存储器（英语：T-RAM） Z-RAM 历史上 威廉姆斯管（1946－47年） 延迟线存储器（1947年） 选数管（1953年） 冷阴极计数管 非易失性存储器（外存）。...
计算机存储器类型（维基数据所列：Q125005976） 易失性存储器（内存） RAM DRAM（例如DDR SDRAM） SRAM 发展中 可控硅随机存储器（英语：T-RAM） Z-RAM 历史上 威廉姆斯管（1946－47年） 延迟线存储器（1947年） 选数管（1953年） 冷阴极计数管 非易失性存储器（外存）。
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所成功试制了首台原型车，称之为ED93型电力机车（ED93 1）。 从1960年代起，随着电力电子技术在牵引传动领域的快速发展，世界上已经出现了以可控硅整流器取代调压开关和硅整流器的趋势，晶闸管相控调压的交—直流电传动电力机车也渐趋成熟。在此背景之下，ED93型电力机车成为日本第一种晶闸管相控电力。
suo cheng gong shi zhi le shou tai yuan xing che ， cheng zhi wei E D 9 3 xing dian li ji che （ E D 9 3 1 ） 。 cong 1 9 6 0 nian dai qi ， sui zhe dian li dian zi ji shu zai qian yin chuan dong ling yu de kuai su fa zhan ， shi jie shang yi jing chu xian le yi ke kong gui zheng liu qi qu dai tiao ya kai guan he gui zheng liu qi de qu shi ， jing zha guan xiang kong tiao ya de jiao — zhi liu dian chuan dong dian li ji che ye jian qu cheng shu 。 zai ci bei jing zhi xia ， E D 9 3 xing dian li ji che cheng wei ri ben di yi zhong jing zha guan xiang kong dian li 。
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Desgeorges）、时任国务院副总理李鹏、经贸部长郑柘彬、铁道部长陈璞如等出席了签字仪式。在机车型号中，“8”代表八轴，“K”代表可控硅整流。根据合同，阿尔斯通公司于1987年初开始交付首台机车，并于1987年11月交付完毕，其中2台机车由五十赫兹集团与株洲电力机车厂合作完成。。
层交错P、N层的半导体装置。最早出现与主要的一种是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极。
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component）又称有源元件，是一种具有增益，或是依靠电流方向的电子零件。实际上，是指电阻、电容、电感 （它们称为「被动元件」）以外的电子零件。主动元件的例子如电晶体、可控硅整流器、真空管等。 在电力工程学中，译为能动部件，是依靠触发、机械运动或动力源等外部输入，而行使功能的部件。 电子学主题 电子元件 被动元件。
一辅助机械室、高压电器室、第二辅助机械室。第一辅助机械室设有牵引电动机通风机、交流滤波器、空气压缩机、紧急制动风缸等设备。高压电器室设有主变压器、可控硅整流器及配套装置，包括空气断路器、避雷器、受电弓隔离开关等高压电器设备。第二辅助机械室设有平波电抗器、励磁电阻器、辅助励磁变压器、晶闸管励磁控制器。
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双向触发二极体（英语：DIAC）（DIAC）、突波保护二极体、交流二极体 当施加超过规定电压（Break Over电压，VBO）的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用於电路的突波保护上。另，虽被称为二极体，实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/可控硅整流器的复杂分类中。。
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商。经过谈判和评标后，中国正式向日本三菱电机和川崎重工业订购85台6K型电力机车，交易总额达240亿日元。在机车型号中，“6”代表六轴，“K”代表可控硅整流。 6K型电力机车由川崎重工业、三菱电机联合设计制造，三菱电机伊丹制作所提供电气部件，川崎重工业兵库工厂提供机械部分并进行总组装，此外住友金属。
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