摘要：
金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种快恢复二极管芯片及其制作方法“授权公告号CN113054037B,申请日期为2019年12月。专利摘要显示，本发明涉及芯片制造领域，具体公开了一种快恢复二极管芯片，包括芯片本体，所述芯片等会说。
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金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种快恢复二极管芯片及其制作方法“授权公告号CN113054037B,申请日期为2019年12月。专利摘要显示，本发明涉及芯片制造领域，具体公开了一种快恢复二极管芯片，包括芯片本体，所述芯片等会说。
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976537A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，采用第一氧化硅神经网络。
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jin rong jie 2 0 2 4 nian 5 yue 4 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， shang hai wei er ban dao ti gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ yi zhong gou cao xiao te ji er ji guan zhi bei fang fa ji gou cao xiao te ji er ji guan “ gong kai hao C N 1 1 7 9 7 6 5 3 7 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 1 0 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben shen qing shi shi li ti gong le yi zhong gou cao xiao te ji er ji guan zhi bei fang fa ， cai yong di yi yang hua gui shen jing wang luo 。
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976536A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽还有呢？
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金融界2024年5月3日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“复合材料、量子点发光二极管及其制备方法“公开号CN117979731A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请公开了一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法，属于显示技术领域是什么。
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金融界2024年5月2日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN113972342B,申请日期为2020年7月。专利摘要显示，本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制还有呢？
金融界2024年5月1日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法、显示装置及其制备方法“公开号CN117954470A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种发光二极管芯片及其制备方法、显示装置及后面会介绍。
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金融界2024年4月23日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“有机发光二极管、显示面板和显示装置“授权公告号CN113097401B,申请日期为2021年4月。专利摘要显示，本发明提出了一种有机发光二极管、显示面板和显示装置，有机发光二极管，包括好了吧！
金融界2024年4月15日消息，据国家知识产权局公告，广东利扬芯片测试股份有限公司取得一项名为“一种双面工艺PIN二极管电源管理芯片的检测系统“授权公告号CN114217206B,申请日期为2021年12月。专利摘要显示，本发明揭示了一种双面工艺PIN二极管电源管理芯片的检测系统，后面会介绍。
发光二极管器件等产品的出货量同比大幅增长。同时，公司也在山寨车、新能源、工业、通讯、大型白电等高门槛市场出货量持续增加。在2024年，盈利性有望得到增强，预计全年应用于汽车主驱的碳化硅PIM模块的销售额将达到10亿元。研报认为，功率整体下游的回暖以及产品结构的持是什么。
金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种集成肖特基二极管的平面栅型MOSFET及其制备方法“公开号CN117878142A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示，本发明公开了一种集成肖特基二极管的平面栅型MOSFET及其制备方法，属于功率电子等我继续说。
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