金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体存储器“公开号CN117580363A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体器件和半导体存储器,包括衬底和反熔丝结构;反熔丝结构包括有源区、第一栅极后面会介绍。
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金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“封装结构及其制备方法“公开号CN117577588A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本申请涉及一种封装结构及其制备方法,封装结构,包括:封装基板,内部设有凹槽,且包括第一基板焊盘;叠层芯说完了。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 2 0 ri xiao xi , ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao , chang xin cun chu ji shu you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ feng zhuang jie gou ji qi zhi bei fang fa “ gong kai hao C N 1 1 7 5 7 7 5 8 8 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 8 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi , ben shen qing she ji yi zhong feng zhuang jie gou ji qi zhi bei fang fa , feng zhuang jie gou , bao kuo : feng zhuang ji ban , nei bu she you ao cao , qie bao kuo di yi ji ban han pan ; die ceng xin shuo wan le 。
金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“三维堆叠封装结构及其形成方法“公开号CN117577634A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开涉及一种三维堆叠封装结构及其形成方法。三维堆叠封装结构包括:封装基板,包括基板本体等我继续说。
金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法“公开号CN117580357A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法,所述方法包括:提供基底,所述基底包括第一区域和位于所述第神经网络。
金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“公开号CN117580356A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法,其中,所述方法包括:提供基底,所述基底包括第一区域和是什么。
金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“公开号CN117580361A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法,所述制造方法包括:提供衬底,所述衬底包括器件区等我继续说。
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金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法“公开号CN117580358A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法,其中,所述结构包括:衬底;位于所述衬底上的半导还有呢?
金融界2024年2月19日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体组件及其操作方法、半导体结构“公开号CN117558742A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体组件,包括:衬底;位于衬底上方的有源柱阵列结构,有源好了吧!
金融界2024年2月19日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“地址信号传输电路、地址信号传输方法以及存储系统“公开号CN117558318A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种地址信号传输电路、地址信号传输方法以及存储系统等我继续说。
金融界2024年2月19日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“控制电路和半导体存储器“公开号CN117559985A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开提供一种控制电路和半导体存储器,包括:控制模块和第一片上终结模块,控制模块,接收命令信号和神经网络。
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