摘要：金融界2024年4月4日消息，据国家知识产权局公告，深圳拓邦股份有限公司取得一项名为“对称环境重定位方法、装置及机器人“授权公告号CN112269386B,申请日期为2020年10月。专利摘要显示，本发明适用于扫地机器人技术领域，提供了一种对称环境重定位方法、装置及扫地机器人神经网络。
...金融界2024年4月4日消息，据国家知识产权局公告，深圳拓邦股份有限公司取得一项名为“对称环境重定位方法、装置及机器人“授权公告号CN112269386B,申请日期为2020年10月。专利摘要显示，本发明适用于扫地机器人技术领域，提供了一种对称环境重定位方法、装置及扫地机器人神经网络。
若频谱差超出频谱偏差范围，则将对应零件实物的频谱作为相应零件的目标频谱；将至少一个目标频谱进行累加，获得频谱总和；根据频谱总和，对驱动电机进行故障检测。采用本方法能够解决传统方案中不能有效对驱动电机的不对称性或者异常激励零件进行故障检测的问题。本文源自金融好了吧！
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ruo pin pu cha chao chu pin pu pian cha fan wei ， ze jiang dui ying ling jian shi wu de pin pu zuo wei xiang ying ling jian de mu biao pin pu ； jiang zhi shao yi ge mu biao pin pu jin xing lei jia ， huo de pin pu zong he ； gen ju pin pu zong he ， dui qu dong dian ji jin xing gu zhang jian ce 。 cai yong ben fang fa neng gou jie jue chuan tong fang an zhong bu neng you xiao dui qu dong dian ji de bu dui cheng xing huo zhe yi chang ji li ling jian jin xing gu zhang jian ce de wen ti 。 ben wen yuan zi jin rong hao le ba ！
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金融界2024年4月4日消息，据国家知识产权局公告，沈阳富创精密设备股份有限公司取得一项名为“一种根据工件尺寸自调节的对称平面拉丝装置“授权公告号CN220699150U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种根据工件尺寸自调节的对称平面拉丝装置，包括机说完了。
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金融界2024年4月3日消息，据国家知识产权局公告，保定天威保变电气股份有限公司申请一项名为“一种不对称结构铁心拉板“公开号CN117809942A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明涉及铁心拉板技术领域，且公开了一种不对称结构铁心拉板，包括拉板本体，拉板本体顶部的等会说。
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插头屏蔽上壳设置为包括弧形形状的盖合段、扣合段；插座绝缘本体和插座屏蔽壳设置为弧形形状。与现有技术相比，实现了可以直接根据弧形形状的两侧不对称结构来识别对插方向，极大地避免了对插插反而导致插头插座损坏的风险，同时，屏蔽壳上的间隙减少，增强了EMI屏蔽性能并简化是什么。
金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，中电科网络安全科技股份有限公司申请一项名为“一种对称可搜索加密方法、装置、设备及介质“公开号CN117786752A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请公开了一种对称可搜索加密方法、装置、设备及介质，涉及信息安后面会介绍。
金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，中电科网络安全科技股份有限公司申请一项名为“一种对称可搜索加密方法、装置、设备及介质“公开号CN117786751A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请公开了一种对称可搜索加密方法、装置、设备及介质，涉及信息安还有呢？
ゃōゃ
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证券之星消息，根据企查查数据显示酷特智能(300840)新获得一项外观设计专利授权，专利名为“不对称斜袖衩袖口”，专利申请号为CN202330498750.6,授权日为2024年3月19日。专利摘要：1.本外观设计产品的名称：不对称斜袖衩袖口。2.本外观设计产品的用途：用于服装的袖口。3.本外好了吧！
金融界2024年4月2日消息，据国家知识产权局公告，上海概伦电子股份有限公司申请一项名为“一种应用于高压器件源漏对称的建模方法及系统“公开号CN117807944A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开一种应用于高压器件源漏对称的建模方法，包括以下步骤：在BSIM等会说。
第一存储结构包括第一晶体管以及连接在第一晶体管的漏极上的第一存储器；第二存储结构包括第二晶体管以及连接在第二晶体管的漏极上的第二存储器；第一存储结构和第二存储结构之间相互隔离，且第一存储结构和第二存储结构呈中心对称。利用上述发明能够在晶体管栅宽/栅长(W/L是什么。
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