摘要：挖贝网1月30日，得奇环保(839640)近日发布公告，因公司业务需要，公司拟投资设立全资子公司宣城得誉金属表面处理有限公司，注册地为安徽省宣城市郎溪县经济开发区金牛西路，注册资本2万元人民币。投资标的基本情况：名称：宣城得誉金属表面处理有限公司注册地址：安徽省宣城市郎溪神经网络。
...挖贝网1月30日，得奇环保(839640)近日发布公告，因公司业务需要，公司拟投资设立全资子公司宣城得誉金属表面处理有限公司，注册地为安徽省宣城市郎溪县经济开发区金牛西路，注册资本2万元人民币。投资标的基本情况：名称：宣城得誉金属表面处理有限公司注册地址：安徽省宣城市郎溪神经网络。
将所述复合氧化铝载体在有机溶剂中浸渍活性金属，并烘干；(3)将步骤(2)得到的产物在惰性气氛下焙烧，焙烧温度为300‑700℃,焙烧时间为0.5‑5小时，得到加氢精制催化剂。该制备方法能够有效改善载体的物化性质，显著提高活性金属在催化剂表面的分散度，适用于加氢脱金属、加氢脱硫还有呢？
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jiang suo shu fu he yang hua lv zai ti zai you ji rong ji zhong jin zi huo xing jin shu ， bing hong gan ； ( 3 ) jiang bu zhou ( 2 ) de dao de chan wu zai duo xing qi fen xia bei shao ， bei shao wen du wei 3 0 0 ‑ 7 0 0 ℃ , bei shao shi jian wei 0 . 5 ‑ 5 xiao shi ， de dao jia qing jing zhi cui hua ji 。 gai zhi bei fang fa neng gou you xiao gai shan zai ti de wu hua xing zhi ， xian zhu ti gao huo xing jin shu zai cui hua ji biao mian de fen san du ， shi yong yu jia qing tuo jin shu 、 jia qing tuo liu hai you ne ？
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金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，西部金属材料股份有限公司申请一项名为“一种在金属基体表面形成高导电高耐蚀涂层的处理方法“公开号CN117448775A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明属于金属表面导电耐蚀涂层技术领域，公开一种在金属基体表还有呢？
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本发明以硅烷偶联剂和钛酸酯偶联剂作为陶化剂的基础，在金属表面形成一层防护性能好的保护膜，通过锆盐与金属基层发生化学反应，故能在金属表面形成致密的电化学保护钝化层，并提高膜层的附着力，通过改性纳米粘土的添加，减少了氟化物的使用，进一步提高了产品的环保性。本文源自还有呢？
用于在基材表面制备聚合物涂层。该装置中固定金属直杆通过绝缘基座沿真空室轴向等间距固定连接在真空室内壁上，固定金属直杆经导线串联连接构成固定电极；转动金属直杆沿真空室轴向等间距固定连接在金属转架上，构成转动电极；固定电极连接高频电源输出端，转动电极接地。工作还有呢？
苏州安洁科技股份有限公司申请一项名为“一种金属铜箔表面水滴角提升工艺“公开号CN117414997A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明提供了一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其利用覆膜工艺，结合硅胶保护膜会在金属表面存在硅转移的特性，大幅度提高材料表面的水滴神经网络。
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金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请了一项名为“一种金属纳米材料表面凸起物的制备方法”的专利，公开号CN117420330A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种金属纳米材料表面凸起物的制备方法，属于纳电子学领域。本发明将金属纳是什么。
金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，深圳市信维通信股份有限公司取得一项名为“一种改善塑胶表面镀层结合力的方法“授权公告号CN113564593B,申请日期为2021年6月。专利摘要显示，本发明属于塑胶表面金属化技术领域，特别涉及一种改善塑胶表面镀层结合力的方等会说。
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金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，山东国瓷功能材料股份有限公司申请一项名为“表面改性的金属氧化物粒子的树脂型分散液及其制备方法“公开号CN117402408A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明提供了一种表面改性的金属氧化物粒子的树脂型分散液还有呢？
金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“采集晶圆表面金属的方法“公开号CN117393452A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请提供了一种采集晶圆表面金属的方法。该方法包括：将待检测晶圆放入处理腔室中，去除后面会介绍。
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