摘要：金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种铁电存储器的制备方法“公开号CN117529114A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明提供了一种铁电存储器的制备方法，属于半导体存储器技术领域。本发明将铁电存储器的制备集成进入传统C等我继续说。
...金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种铁电存储器的制备方法“公开号CN117529114A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明提供了一种铁电存储器的制备方法，属于半导体存储器技术领域。本发明将铁电存储器的制备集成进入传统C等我继续说。
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金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“集成电路及其控制方法、芯片、终端“公开号CN117542388A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本申请提供一种集成电路及其控制方法、芯片、终端，可以延长铁电电容的耐久性。该集成电路包括还有呢？
jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 9 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， hua wei ji shu you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ ji cheng dian lu ji qi kong zhi fang fa 、 xin pian 、 zhong duan “ gong kai hao C N 1 1 7 5 4 2 3 8 8 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 8 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben shen qing ti gong yi zhong ji cheng dian lu ji qi kong zhi fang fa 、 xin pian 、 zhong duan ， ke yi yan chang tie dian dian rong de nai jiu xing 。 gai ji cheng dian lu bao kuo hai you ne ？
金融界2024年2月6日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“铁电存储器件“公开号CN117529113A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种铁电存储器件，包括：沟道层、沟道层上的栅极绝缘层和栅极绝缘层上的栅电极层。栅极绝缘层包括：铁电感应层和铁电好了吧！
ゃōゃ
金融界2024年2月6日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“铁电随机存储器和电子设备“公开号CN117524274A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请提供了一种铁电随机存储器和电子设备，通过晶体管和多个电容实现了数据的存储，不仅增大了铁电随等我继续说。
金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“在沟道周围具有铁电层的半导体器件和用于在衬底上形成半导体器件的方法“公开号CN117480617A,申请日期为2021年6月。专利摘要显示，提供了一种半导体器件，包括衬底上的至少第一硅(Si)元件好了吧！
金融界2024年1月24日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“包括铁电晶体管的三维半导体器件“公开号CN117440691A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示，一种三维半导体器件，包括：板状公共源极线；第一字线和第二字线，彼此间隔开以至少部分地限定该第是什么。
南方财经7月4日电，美国科学家领导的一个国际研究小组表示，他们研制出的一种新型铁电聚合物，能高效地将电能转化为机械应变，有望成为一种高性能的运动控制器(致动器),在医疗设备、先进机器人和精密定位系统中大显身手，例如作为机器人的“肌肉”等。相关研究论文发表于最近的好了吧！
金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“铁电随机存取存储器器件及其形成方法“授权公告号CN113594175B,申请日期为2021年7月。专利摘要显示，形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法包括：在衬底上方形成层堆叠件后面会介绍。
金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种铁电存储器的制备方法“公开号CN117377324A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明提供了一种铁电存储器的制备方法，属于半导体存储器技术领域。本发明将铁电存储器的制备集成进入传统后面会介绍。
金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“三维铁电存储器件“公开号CN117355142A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种三维(3D)铁电存储器件可以包括堆叠在衬底上的多个栅电极、与所述多个栅电极接触的多个铁电层、与所述多个后面会介绍。
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