长鑫存储概念龙头股,长鑫存储概念龙头

摘要：金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“节点接触电阻的测量方法及设备“公开号CN117741250A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供一种节点接触电阻的测量方法及设备，包括：在动态随机存储器中确定经过同一个节点接等我继续说。 ...

金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“节点接触电阻的测量方法及设备“公开号CN117741250A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供一种节点接触电阻的测量方法及设备，包括：在动态随机存储器中确定经过同一个节点接等我继续说。

金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“数据接收电路、数据接收系统以及存储装置“公开号CN117746931A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种数据接收电路、数据接收系统以及存储装置，数据接收电路包括后面会介绍。

jin rong jie 2 0 2 4 nian 3 yue 2 2 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， chang xin cun chu ji shu you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ shu ju jie shou dian lu 、 shu ju jie shou xi tong yi ji cun chu zhuang zhi “ gong kai hao C N 1 1 7 7 4 6 9 3 1 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 9 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben gong kai shi shi li ti gong yi zhong shu ju jie shou dian lu 、 shu ju jie shou xi tong yi ji cun chu zhuang zhi ， shu ju jie shou dian lu bao kuo hou mian hui jie shao 。

金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“石英管清洗装置、雾化喷淋头及其雾化方法“公开号CN117732628A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种石英管清洗装置、雾化喷淋头及其雾化方法，雾化喷淋头包括：本体、第说完了。

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金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法、存储器“公开号CN117747538A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法、存储器，该方法包括：提供晶圆，且晶圆中形是什么。

金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“获取测试算法故障覆盖率的方法及相关设备“公开号CN117746954A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供一种获取测试算法故障覆盖率的方法及相关设备，属于半导体集成电路测试神经网络。

(#｀′)凸

金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“等离子体处理装置及基板处理方法“公开号CN117747395A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种等离子体处理装置及基板处理方法，涉及半导体技术领域，用于解决基板的还有呢？

金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“公开号CN117750754A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法，包括如下步骤：形成衬底，所述衬底好了吧！

金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法及半导体结构、存储器的形成方法“公开号CN117750755A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构、存储器的后面会介绍。

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金融界2024年3月19日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法和半导体结构“公开号CN117727690A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，该半导体结构的制备方法包括：提供堆栈好了吧！

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金融界2024年3月19日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法和半导体结构“公开号CN117727688A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，半导体结构的制好了吧！