摘要：金融界2024年3月23日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法“公开号CN117747725A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法。本发明括衬神经网络。
...金融界2024年3月23日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法“公开号CN117747725A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法。本发明括衬神经网络。
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证券之星消息，根据企查查数据显示TCL科技(000100)公布了一项国际专利申请，专利名为“复合材料及其制备方法及量子点发光二极管”，专利申请号为PCT/CN2023/118641,国际公布日为2024年3月21日。专利详情如下：图片来源：世界知识产权组织(WIPO)今年以来TCL科技已公布的国际等我继续说。
zheng quan zhi xing xiao xi ， gen ju qi zha zha shu ju xian shi T C L ke ji ( 0 0 0 1 0 0 ) gong bu le yi xiang guo ji zhuan li shen qing ， zhuan li ming wei “ fu he cai liao ji qi zhi bei fang fa ji liang zi dian fa guang er ji guan ” ， zhuan li shen qing hao wei P C T / C N 2 0 2 3 / 1 1 8 6 4 1 , guo ji gong bu ri wei 2 0 2 4 nian 3 yue 2 1 ri 。 zhuan li xiang qing ru xia ： tu pian lai yuan ： shi jie zhi shi chan quan zu zhi ( W I P O ) jin nian yi lai T C L ke ji yi gong bu de guo ji deng wo ji xu shuo 。
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本发明在原位制备方法的前驱体溶液中引入铵盐型双齿配体调控结晶过程，制备了具备小尺寸且大小均一纳米晶的均相钙钛矿纳米晶薄膜。另外还应用该薄膜，制备了钙钛矿发光二极管器件，该器件具有良好的发光性能(外量子效率高),其电学性能也得到明显提升，表现为更均一的电流传输和是什么。
压合组件能够从载板缓存组件上吸附第一载板，并将第一载板与基板压合，激光焊接组件用于将第一载板上的发光二极管焊接于基板，其中，第一柜体与第二柜体之间可拆卸连接。根据本发明实施例的巨量焊接设备，能够实现具有发光二极管的载板的自动化供应，便于提高生产效率。本文源自好了吧！
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金融界2024年3月8日消息，据国家知识产权局公告，杭州海康威视数字技术股份有限公司申请一项名为“一种发光二极管的制备方法“公开号CN117672965A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管的制备方法。所述制备方法包括：提供发光二极管整版，发光二神经网络。
金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法“公开号CN117594732A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明提供发光二极管及其制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括器件本体和用于封装器件后面会介绍。
金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法、显示装置“公开号CN117425365A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传是什么。
金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及显示装置“公开号CN117412651A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传输层的材料包还有呢？
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金融界2023年12月27日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法和显示装置“公开号CN117296156A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片，包括：多个外延结构，位于基底一侧，任意相邻的是什么。
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金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“发光二极管和使用该发光二极管的显示模块“公开号CN117280481A,申请日期为2021年11月。专利摘要显示，公开了一种发光二极管和使用该发光二极管的显示模块。所公开的发光二极管包括：第一后面会介绍。
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