摘要：金融界2024年3月14日消息，据国家知识产权局公告，安徽合矿环境科技股份有限公司取得一项名为“一种挖掘机驾驶室防触漏电保护装置“授权公告号CN220580096U,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本实用新型涉及挖掘机技术领域，且公开了一种挖掘机驾驶室防触漏电保护装置等会说。
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金融界2024年3月14日消息，据国家知识产权局公告，安徽合矿环境科技股份有限公司取得一项名为“一种挖掘机驾驶室防触漏电保护装置“授权公告号CN220580096U,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本实用新型涉及挖掘机技术领域，且公开了一种挖掘机驾驶室防触漏电保护装置等会说。
是否存在硬件漏电等问题。该方法包括：响应于接收到第一指令，控制充电电路断开。第一指令用于指示电子设备开始待机电流测试。将电子设备设置为待机状态。通过测量模块采集电源模块的放电电流。根据放电电流与预设阈值的大小关系确定电子设备是否通过待机电流测试。本文源是什么。
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shi fou cun zai ying jian lou dian deng wen ti 。 gai fang fa bao kuo ： xiang ying yu jie shou dao di yi zhi ling ， kong zhi chong dian dian lu duan kai 。 di yi zhi ling yong yu zhi shi dian zi she bei kai shi dai ji dian liu ce shi 。 jiang dian zi she bei she zhi wei dai ji zhuang tai 。 tong guo ce liang mo kuai cai ji dian yuan mo kuai de fang dian dian liu 。 gen ju fang dian dian liu yu yu she yu zhi de da xiao guan xi que ding dian zi she bei shi fou tong guo dai ji dian liu ce shi 。 ben wen yuan shi shen me 。
层，截止环金属位于第三类沟槽的上方，且截止环金属能够分别与第三类沟槽的侧壁上的导电多晶硅以及第一导电类型外延层接触。本发明还公开了一种具有截止环结构的功率半导体器件的制作方法。本发明提供的具有截止环结构的功率半导体器能够阻止器件漏电。本文源自金融界
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金融界2024年3月11日消息，据国家知识产权局公告，一汽解放汽车有限公司申请一项名为“一种检测冷却液防腐膜漏电保护性能的方法“公开号CN117665066A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明涉及一种检测冷却液防腐膜漏电保护性能的方法，所述检测冷却液防腐膜漏电等我继续说。
截止环金属位于第三类沟槽和第四类沟槽的上方，且截止环金属能够通过第四类沟槽伸入第一导电类型外延层内。本发明还公开了一种具有截止环结构的功率半导体器件的制作方法。本发明提供的具有截止环结构的功率半导体器能够提高功率半导体器件的截止能力，阻止器件漏电。本文说完了。
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所述阻挡层覆盖所述第二氧化层的侧壁，所述第一氧化层覆盖所述阻挡层的表面以及覆盖位于所述栅极沟槽底部的所述第二氧化层的表面。相较于只有一层氧化层的栅极介质层结构，本公开的栅极介质层可以对器件进行更好地保护，降低栅极异常漏电的发生，降低热载流子注入效应。本文还有呢？
衬底包括PMOS区；形成沟道层，沟道层位于PMOS区的衬底的表面；形成栅极结构和保护层，栅极结构位于沟道层的表面，保护层覆盖栅极结构的表面以及沟道层的部分表面；在形成栅极结构及保护层之后，采用氢离子铸合工艺对沟道层的表面进行钝化处理可以降低半导体结构的漏电。本文源说完了。
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在下电极层的表面形成介质层；在介质层的表面形成上电极层；在上电极层的表面形成半导体层，半导体层包括主体材料和掺杂于主体材料中的客体材料，客体材料的掺杂比例由远离上电极层的一侧向靠近上电极层的一侧依次减小。本公开的形成方法可降低介质层的漏电风险，提高产品良率说完了。
绝缘层位于第二沟槽中，绝缘层中设置有第三沟槽，第二隔离层填充第三沟槽；位于第二沟槽的顶部侧壁的绝缘层与有源区之间的距离，大于位于第二沟槽的底部侧壁的绝缘层与有源区之间的距离。本公开能够有效缓解半导体结构的HEIP效应，避免产生漏电，从而提高半导体结构的良率。本文好了吧！
C、N、Si、S、Se中的一种，所述第二掺杂元素为Al、Zn、Ge、Cd、Mg、Ga、In中的一种。将本公开实施例提供的上述富Te元素的选通管材料用于选通管单元时，选通管单元兼具热稳定性强、循环寿命长、关态漏电流低、开态电流高、开启速度快、无安全隐患等优点。本文源自金融界
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