摘要：IT之家3 月2 日消息，三星Galaxy A35 5G 和Galaxy A55 5G 手机的宣传物料信息近日被媒体曝光，展示了这两款手机的渲染图以及完整规格信息。Galaxy A35 三星A34 5G 配备了5G 和Wi-Fi 5 连接，而继任者Galaxy A35 5G 手机支持5G 和Wi-Fi 6 连接。三星A34 搭载联发科Dimensi神经网络。
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IT之家3 月2 日消息，三星Galaxy A35 5G 和Galaxy A55 5G 手机的宣传物料信息近日被媒体曝光，展示了这两款手机的渲染图以及完整规格信息。Galaxy A35 三星A34 5G 配备了5G 和Wi-Fi 5 连接，而继任者Galaxy A35 5G 手机支持5G 和Wi-Fi 6 连接。三星A34 搭载联发科Dimensi神经网络。
这有两种可能：三星选择了更大的相机传感器，允许更多的光线，提高相机的性能只是外观上的变化，没有其它变化IT之家此前报道，有消息称Galaxy Z Flip6 手机主摄可能升级到5000 万像素，而Galaxy Z Flip5 手机主摄为1200 万像素。更薄的铰链盖三星使用稍薄的金属外壳来掩盖铰链部分等会说。
zhe you liang zhong ke neng ： san xing xuan ze le geng da de xiang ji chuan gan qi ， yun xu geng duo de guang xian ， ti gao xiang ji de xing neng zhi shi wai guan shang de bian hua ， mei you qi ta bian hua I T zhi jia ci qian bao dao ， you xiao xi cheng G a l a x y Z F l i p 6 shou ji zhu she ke neng sheng ji dao 5 0 0 0 wan xiang su ， er G a l a x y Z F l i p 5 shou ji zhu she wei 1 2 0 0 wan xiang su 。 geng bo de jiao lian gai san xing shi yong shao bo de jin shu wai ke lai yan gai jiao lian bu fen deng hui shuo 。
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IT之家3 月2 日消息，消息源Evan Blass 近日发布推文，分享了三星Galaxy M15 5G 手机的高清渲染图。从图片来看，Galaxy M15 5G 手机沿用前代设计语言，背面垂直排列三个独立相机，正面采用水滴屏，并至少有银色、蓝色和茶色3 种颜色。IT之家汇总三星Galaxy M15 5G 手机现有爆料规等会说。
金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“包括非易失性存储器装置的存储装置及其操作方法“公开号CN117631989A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，公开了包括非易失性存储器装置的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：非易失后面会介绍。
金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于向存储器提供具有空中时延的命令的装置和方法“公开号CN117631988A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种支持OTF时延的存储器设备，包括：分别连接到多条信号线的多个信号引脚，每条等会说。
金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于将数据导入图形数据库的方法和存储器装置“公开号CN117633063A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，提供了用于将数据导入图形数据库的方法和存储器装置，其中，存储器装置的至少一个解后面会介绍。
金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件及其制造方法“公开号CN117637695A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种半导体封装件包括第一半导体芯片和位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片，所述第一半导体芯片等会说。
金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“包括非易失性存储器装置的存储装置及其操作方法“公开号CN117631985A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，公开了包括非易失性存储器装置的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：非易失等我继续说。
金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“电致发光器件和显示设备“公开号CN117641966A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本发明涉及电致发光器件和显示设备。电致发光器件包括设置在第一电极和第二电极之间的量子点层、以及设等我继续说。
金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“包括非易失性存储器装置的存储装置及其操作方法“公开号CN117631991A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，公开了包括非易失性存储器装置的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：非易失还有呢？
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