摘要：1N400x二极管（又称1N4001或1N4000二极管）是型号为1N4001至1N4007的一系列通用硅二极管，其额定电流为1 A，反向耐压范围在50 V（1N4001）至1000 V（1N4007）之间，采用通孔插装式DO-41封装。而1N540x二极管和1N400x相似，但额定电流提升至3。...1N400x二极管（又称1N4001或1N4000二极管）是型号为1N4001至1N4007的一系列通用硅二极管，其额定电流为1 A，反向耐压范围在50 V（1N4001）至1000 V（1N4007）之间，采用通孔插装式DO-41封装。而1N540x二极管和1N400x相似，但额定电流提升至3。
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变容二极管（英语：Varicap diode），又称变容二极管、可变电容二极管、可变电抗二极管或调谐二极管，是电子学中一种旨在利用反向偏置p-n 结电压相关电容的二极管。 变容二极管用作压控电容器。它们通常用于压控振荡器、参量放大器和倍频器。 压控振荡器有许多应用，例如调频发射机的频率调制和锁相环。
bian rong er ji guan （ ying yu ： V a r i c a p d i o d e ） ， you cheng bian rong er ji guan 、 ke bian dian rong er ji guan 、 ke bian dian kang er ji guan huo tiao xie er ji guan ， shi dian zi xue zhong yi zhong zhi zai li yong fan xiang pian zhi p - n jie dian ya xiang guan dian rong de er ji guan 。 bian rong er ji guan yong zuo ya kong dian rong qi 。 ta men tong chang yong yu ya kong zhen dang qi 、 can liang fang da qi he bei pin qi 。 ya kong zhen dang qi you xu duo ying yong ， li ru tiao pin fa she ji de pin lv tiao zhi he suo xiang huan 。
二极管的老式音频设备有回潮的迹象，如家用音响系统甚至是吉他效果器。 电路图中用于二极管的图标如下图表所示。 二极管 发光二极管 (LED) 光电二极管 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 (TVS) 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管。
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impedance），如图6所示。这种设计在將耦合器馈送到用於功率监测的检测器的情况下是有利的。对於给定的主线功率，较高阻抗线导致较高的射频电压，使得检测器二极管的工作更容易。 制造商规定的频率范围是耦合线的频率范围。主线响应要宽得多：例如， 2-4 GHz指定的耦合器可能有一条可以在。
线性稳压器可以是置於电源和负载之间（串联稳压器），或与负载并联（并联稳压器）。简单的线性稳压器可以只包含齐纳二极管和一枚串联电阻器；更复杂的线性稳压器包含多个组成部份：参考电压、误差放大器和功率传输元件。由于线性稳压器被广泛应用，因此多被制成集成电路，但也可以固態电子器件或真空管等分立元件构成。。
单颗发光二极管的光度比传统白炽灯和省电灯泡低很多，所以一个灯泡通常会包含多颗发光二极管。近年，二极管技术提高，高功率、高光度的发光二极管陆续上市，使得这类灯泡渐有取代其他传统光源之势。已有厂商推出单颗设计的照明用高功率LED晶片，只需100瓦的电力，就能发出7,527流明的光度。除了用於专为LED所设计的灯具外，。
最大可以到200V。现行技术也可以制造出反向偏压更高的肖特基二极管，但是其导通电压也会升高到和普通二极管相同的水平，因此除非是需要高切换速度的场合，这种二极管在应用中没有优势。 碳化硅肖特基二极管是一种新型的肖特基二极管，与传统的硅质二极管相比，其反向漏电流更低、反向耐压更高，但导通电压也更高（25°C时的导通电压为1。
功率半导体多半是TO-247或TO-220（英语：TO-220）的塑胶包装，相较起来，功率模组的功率密度较高，而且在许多领域中比分立元件要可靠。 有些功率模组中会包括单一的功率元件（例如MOSFET、IGBT、BJT、晶闸管、GTO、JET）或是二极管，不过大多数的功率。
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主动整流（Active rectification）或同步整流（synchronous rectification）是由主动控制的电子开关取代二极管，以提昇整流效率的技术，使用的电子开关多半是功率MOSFET或双极性晶体管。一般半导体的二极体压降固定，约为0.5至1V，在工作电流范围內，压降不会隨电流有明显的变化，主。
原来只有经DPSS产生的473nm蓝色激光，功率偏低及不稳定。近来，隨著CASIO开发出包含蓝色激光二极管(450nm)的混合光源高亮度投影机，功率高达1000mW以上的蓝光半导体二极管被大量生产而普及化。 使用波长405nm的堇紫色激光二极管（使用在蓝光光碟內），属於半导体激光，接近紫外光波段，可视度较低，但能激发萤光，具有验钞和检验化学品作用。。
功率MOSFET是专门处理大功率的电压和电流的金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），也是功率半导体（英语：power semiconductor device）的一种。和其他功率半导体（例如绝缘柵双极晶体管或晶闸管）比较，功率MOSFET的优点是其切换速度快，在低电压下的高效率。功率。
在1980年代后期，半导体技术使得更高效而耐用的半导体激光二极管成为可能，这些在小功率的CD和DVD光驱和光纤数据线中得到使用。 在1990年代，高功率的激光激发原理得到实现，比如片状激光和光纤激光。后者由于新的加工技术和20kW的高功率不断地被应用到材料加工领域中，从而部分的替代了CO2激光和Nd:YAG激光。。
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。与之相反，若电势差的方向逆转，电子无法轻易地离开阳极跳跃至阴极。 移动的电子形成电流。因为电子只能从阴极移至阳极，所以工作中的真空二极管具有单向导电性。 在真空二极管的基础上，三极管在阴极和阳极之间添加了一个栅极。通过在栅极和阳极间加上栅极电压，可以使栅极带上负电荷。由于电荷同性相斥，通过改变栅极。
二极管会自动復归，而其吸收的能量比类似额定的撬棒电路（英语：Crowbar (circuit)）要大很多。 TVS二极管有单向的及双向的。单向的TVS二极管在顺向操作时类似整流器，但在其设计允许承受很大的峰值电流，1.5KE系列的瞬间功率可以到1500 W。 双向的TVS二极管。
鎵（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光发光二极管。 有了蓝光发光二极管后，白光发光二极管也隨即面世，之后LED便朝增加光度的方向发展，当时一般的LED工作功率都小於30－60 mW（毫瓦）。1999年输入功率达1W（瓦）的发光二极管商品化。这些发光二极管都以特大的半导体晶片来处理高电能输入的问题，。
光电二极管（英语：photodiode）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。 常见的传统太阳能电池就是通过大面积的光电二极管来产生电能。 光电二极管与常规的半导体二极管基本相似，只是光电二极管可以直接暴露在光源附近或通过透明小窗、光导纤维封装，来允许光到达这种器件的光敏感。
功率励磁调节功能，以充分利用柴油机的功率。 牵引发电机发出的三相交流电由УВКТ-4Т型硅整流装置转换成直流电，整流装置设有二组并联的三相桥式整流电路，整流电路每一桥臂有八个并联支路，每个支路有二个串联连接的ВЛ200-8型雪崩整流二极管，全套整流装置共有192个二极管。
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以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。 基于氮化镓的紫色激光二极管被用于读取蓝光光盘。氮化镓与铟（InGaN）或铝（AlGaN）的混合，其带隙取决于铟或铝与氮化镓的比例，可以制造出颜色从红色到紫外线的发光二极管（LED）。 氮化镓晶体管适用于高频率、高电压、高温和高效。
在电子学领域里，LED驱动电路（LED circuit，又译发光二极管电路），为发光二极管灯具的核心器件，是一个用来使发光二极管（LED）发亮的电路。 随着全球倡导绿色照明以及节能的迫切需求。越来越多的照明产品进入到发光二极管光源的时代。而作为发光二极管灯具的核心器件，LED驱动芯片扮演着越来越重要的角色。。
磷化三铁可由铁和磷在高温下的化合反应来制备。磷化三铁和湿气、酸反应，生成磷化氢（PH3），它是一种有毒、可自燃的气体。 磷化三铁是一种半导体。它已用于高功率、高频的应用，例如激光二极管。 Iron phosphide, 99.5% (metals basis). alfa. Alfa Aesar. [7 August。
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